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2024年北京航空航天大學(xué)非全日制研究生招生考試《集成電路類專業(yè)綜合》考試大綱

來源：在職研究生招生信息網(wǎng) 發(fā)布時間：2023-12-14 10:23:47

　　模擬電路部分(滿分50分)

　　一. 復(fù)習(xí)內(nèi)容及基本要求

　　1. CMOS模擬電路的大信號特性分析

　　主要內(nèi)容：MOS管的大信號模型、MOS管的工作區(qū)。

　　CMOS模擬電路的直流大信號分析，CMOS模擬電路中的晶體管工作狀態(tài)分析。

　　基本要求：掌握原理，理解概念，分析計算電路參數(shù)。

　　2. CMOS模擬電路的低頻小信號特性分析

　　主要內(nèi)容：MOS管的低頻小信號模型、CMOS模擬電路的低頻性能參數(shù)。

　　共源級、源隨器、共柵級、共源共柵級、差分放大器、電流鏡和五管跨導(dǎo)運算放大器(OTA)等CMOS模擬電路的低頻性能參數(shù)的計算與分析，包括增益、輸入電阻、輸出電阻、擺幅和共模抑制比等。

　　基本要求：掌握原理，理解概念，分析計算電路參數(shù)。

　　3. CMOS模擬電路的頻率特性分析

　　主要內(nèi)容：MOS管的高頻小信號模型、CMOS模擬電路的頻率響應(yīng)參數(shù)。

　　CMOS模擬電路的頻率響應(yīng)參數(shù)的計算與分析，包括傳輸函數(shù)、零點、極點、帶寬、增益帶寬積等;波特圖的繪制方法。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;在給定詳細(xì)電路圖的條件下，能夠分析基本CMOS模擬電路的頻率響應(yīng)，并能夠繪制波特圖。

　　4. 運算放大器(運放)及負(fù)反饋

　　主要內(nèi)容：運放主體模塊的設(shè)計，負(fù)反饋放大電路的特性。

　　運放主體模塊的設(shè)計步驟，包括套筒式共源共柵運放、折疊式共源共柵運放和密勒補償型兩級運放;負(fù)反饋對放大電路性能的影響，開環(huán)增益、閉環(huán)增益、環(huán)路增益等指標(biāo)的含義;負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性分析。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;給定一組性能指標(biāo)和一種運放電路結(jié)構(gòu)(套筒式共源共柵運放、折疊式共源共柵運放和密勒補償型兩級運放中的一種)，能夠設(shè)計滿足指標(biāo)要求的運放;能夠判斷負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性，并進行穩(wěn)定性補償。

　　5. MOS晶體管的噪聲與失調(diào)

　　主要內(nèi)容：MOS管的噪聲模型、MOS管的失調(diào)模型、運放的非理想因素輸入等效變換

　　MOS晶體管中閃爍噪聲和熱噪聲的基本模型，隨機性失配的因素;等效輸入噪聲和等效輸入失配的換算方法;非理想因素優(yōu)化的基本思路;隨機性失調(diào)對運放算法電路(比例運算、加減法等)的影響。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;對于一個給定參數(shù)的噪聲或失配模型，能夠根據(jù)模型及電路進行等效輸入的換算。

　　二.建議參考但不限于：

　　1. Behzad Razavi著，陳貴燦、程軍、張瑞智、張鴻譯，模擬CMOS集成電路設(shè)計(第2版)，西安交通大學(xué)出版社(2018年)。

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