考試內(nèi)容和考試要求
1、半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì);
2、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài):半導(dǎo)體能帶的形成,Ge、Si、GaAs能帶結(jié)構(gòu),有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)和缺陷能級(jí);
3、熱平衡下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布:狀態(tài)密度、費(fèi)米能級(jí)、本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度,簡(jiǎn)并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng);
4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性:半導(dǎo)體導(dǎo)電原理,載流子的漂移運(yùn)動(dòng)、遷移率、散射機(jī)構(gòu),半導(dǎo)體電阻率(電導(dǎo)率)隨溫度和雜質(zhì)濃度的變化規(guī)律,強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)、熱載流子,負(fù)阻效應(yīng);
5、非平衡載流子:非平衡載流子與準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí),非平衡載流子注入與復(fù)合,復(fù)合理論,非平衡載流子壽命,愛(ài)因斯坦關(guān)系,載流子漂移、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),缺陷效應(yīng),連續(xù)性方程;
6、pn結(jié):平衡與非平衡pn結(jié)特點(diǎn)及其能帶圖,pn結(jié)的I-V特性、電容特性、開(kāi)關(guān)特性、擊穿特性;
7、 金屬和半導(dǎo)體接觸:半導(dǎo)體表面態(tài),表面電場(chǎng)效應(yīng),金屬與半導(dǎo)體接觸特性、MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性,
8、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié):異質(zhì)結(jié)的形成機(jī)理、能帶圖;
9、半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)及光電效應(yīng):半導(dǎo)體的光吸收,半導(dǎo)體光電導(dǎo),半導(dǎo)體光生伏特效應(yīng),半導(dǎo)體發(fā)光及半導(dǎo)體激光器;
10、半導(dǎo)體熱電、磁電及壓阻效應(yīng):半導(dǎo)體熱傳導(dǎo)及熱電效應(yīng),半導(dǎo)體的霍耳效應(yīng),半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)。
備注
選讀書(shū)目
1、《半導(dǎo)體物理學(xué)》,劉恩科等編,國(guó)防工業(yè)出版社。
2、《半導(dǎo)體物理學(xué)基礎(chǔ)教程》,馮文修等編,國(guó)防工業(yè)出版社
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